Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
ИНЖЕКЦИЯ носителей — (от лат. injectio вбрасывание), проникновение неравновесных (избыточных) носителей заряда в полупроводник или диэлектрик под действием электрич. поля. Источником избыточных носителей служит контактирующий ПП или металл (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ… … Физическая энциклопедия
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
Полупроводниковый диод — двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие «П. д.» объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение. Система классификации П. д. соответствует общей… … Большая советская энциклопедия
Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… … Википедия
Löcherinjektion — skylių injekcija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hole injection vok. Löcherinjektion, f rus. инжекция дырок, f pranc. injection des trous, f … Radioelektronikos terminų žodynas
hole injection — skylių injekcija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hole injection vok. Löcherinjektion, f rus. инжекция дырок, f pranc. injection des trous, f … Radioelektronikos terminų žodynas
injection des trous — skylių injekcija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hole injection vok. Löcherinjektion, f rus. инжекция дырок, f pranc. injection des trous, f … Radioelektronikos terminų žodynas
skylių injekcija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hole injection vok. Löcherinjektion, f rus. инжекция дырок, f pranc. injection des trous, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия
